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技术优势

硅衬底垂直结构LED芯片与传统蓝宝石水平结构LED芯片对比

目前最常见的蓝光LED芯片为蓝宝石衬底水平结构芯片,即芯片P电极和N电极衬底的在同一侧(如图1所示)。该技术1991年源自日本,具有技术简单、性能稳定、技术成熟等优势。然而,随着大功率灯具的普及,传统蓝宝石衬底热导率低、水平结构芯片电流拥堵、发光面分散等缺点限制了LED行业的进一步发展。为解决上述问题,众拓光电硅衬底大功率LED芯片应运而生。具体优势如下:

1)硅衬底大功率LED芯片P电极和N电极分别位于芯片的上下两侧(如图2所示),革命性地将芯片电流流动方向从水平改为垂直,根本性解决了水平结构芯片电流拥堵特性,工作电流可达1700 mA,从而可以实现单颗大功率(~5WLED芯片;

2)硅衬底大功率LED芯片在内部增加了反射镜设计,使得芯片发光面从传统的蓝宝石衬底LED芯片的五面发光(上面和前后左右面)改为单面(上面)发光,从而有效地简化了灯具配光设计,直接减少灯具设计成本;

3)硅衬底大功率LED芯片散热性能远胜于蓝宝石衬底。蓝宝石衬底的热导率约为25W/(m·K),硅衬底的热导率为148 W/(m·K)。硅衬底大功率LED芯片的散热性能是蓝宝石衬底的5倍以上,大幅度提高了大功率LED芯片的寿命和可靠性。

因此,硅衬底大功率LED芯片更适合制造大电流、高功率、高性能的灯具。

本公司拥有完全独立的硅衬底大功率LED外延芯片技术自主知识产权。经过多年发展,产品性能及可靠性已达到国际领先水平。产品已广泛应用在汽车照明、手机闪光灯、摩托车/电动车车灯等新兴蓝海市场。

众拓光电愿携手所有同仁,共同开创属于中国的第三代半导体材料及器件的新时代。

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