硅衬底垂直结构LED芯片与传统蓝宝石水平结构LED芯片对比

目前最常见的蓝光LED芯片为蓝宝石衬底水平结构芯片，即芯片P电极和N电极衬底的在同一侧（如图1所示）。该技术1991年源自日本，具有技术简单、性能稳定、技术成熟等优势。然而，随着大功率灯具的普及，传统蓝宝石衬底热导率低、水平结构芯片电流拥堵、发光面分散等缺点限制了LED行业的进一步发展。为解决上述问题，众拓光电硅衬底大功率LED芯片应运而生。具体优势如下： 
（1）硅衬底大功率LED芯片P电极和N电极分别位于芯片的上下两侧（如图2所示），革命性地将芯片电流流动方向从水平改为垂直，根本性解决了水平结构芯片电流拥堵特性，工作电流可达1700 mA，从而可以实现单颗大功率（～5W）LED芯片； 
（2）硅衬底大功率LED芯片在内部增加了反射镜设计，使得芯片发光面从传统的蓝宝石衬底LED芯片的五面发光（上面和前后左右面）改为单面（上面）发光，从而有效地简化了灯具配光设计，直接减少灯具设计成本；
（3）硅衬底大功率LED芯片散热性能远胜于蓝宝石衬底。蓝宝石衬底的热导率约为25W/(m·K)，硅衬底的热导率为148 W/(m·K)。硅衬底大功率LED芯片的散热性能是蓝宝石衬底的5倍以上，大幅度提高了大功率LED芯片的寿命和可靠性。 
因此，硅衬底大功率LED芯片更适合制造大电流、高功率、高性能的灯具。 
本公司拥有完全独立的硅衬底大功率LED外延芯片技术自主知识产权。经过多年发展，产品性能及可靠性已达到国际先进水平。产品已广泛应用在汽车照明、手机闪光灯、摩托车/电动车车灯等新兴蓝海市场。 
众拓光电愿携手所有同仁，共同开创属于中国的第三代半导体材料及器件的新时代。

工艺过程：

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一、第三代半导体材料与器件研究团队，获河源市人才团队奖励（800万元）；并获得河源市高新区“促投资，稳增长”高端人才补贴等多项广东省、河源市及地方政府的人才/团队奖励。

二、人才团队奖励高性能低成本 LED外延材料与芯片研究团队成功入选2017 年“扬帆计划” 引进创新创业团队项目，并获得500万元资助。